Escola de Engenharia Mackenzie (EE)
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Navegando Escola de Engenharia Mackenzie (EE) por Autor "Adams, Johnny Laires"
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- TCCDeposição de filmes de nitreto de boro para redução do atrito em componente de armasCavalheiro, Brian Wenzel; Adams, Johnny Laires (2021-12)
Escola de Engenharia (EE)
Nesse artigo realizamos um estudo sobre deposição de Nitreto de Boro hexagonal por tecnologia de plasma e apresentamos os resultados obtidos das deposições realizadas no laboratório. Filmes finos de nitreto de boro foram depositados pelo método de deposição física de vapor sobre substratos de aço 4140 e silício com o objetivo de reduzir atritos e aumentar a resistência superficial para evitar falhas em componente de armas. Foram realizadas duas deposições alterando a potência da fonte RF, a primeira com 226W de potência e pressão de gás na câmara de vácuo de 8,0𝑥��10−3 𝑇��𝑜��𝑟��𝑟��. Para a segunda deposição a potência da fonte RF foi alterada para 135W e a pressão de gás na câmara de vácuo aumentou para 9,7𝑥��10−3 𝑇��𝑜��𝑟��𝑟��. A temperatura dos substratos variou de 32°C a 44°C. A razão de gases utilizada para ambas as deposições foi 75% de argônio e 25% de nitrogênio. O tempo para deposições foi de 60 minutos. Após as deposições foram feitos estudos da superfície como difratômetro de raio X, ensaio de tribologia e microscopia de força atômica, para identificar as novas propriedades metalográficas da superfície e se houve a deposição do nitreto de boro em sua forma hexagonal. Obtivemos um resultado satisfatório nas deposições e no ensaio de tribologia. No microscópio de força atômica não foi possível determinar a espessura do filme depositado. De forma geral, a deposição de hBN teve êxito ao reduzir o coeficiente de atrito e aumentar a resistência superficial.